古斯-汉欣(Goos-Hänchen)效应是一种基本的光学现象，它描述的是一束光在介质分界处发生反射时会同时沿界面方向上产生一个横向位移。进一步的研究表明，该效应并不局限于光学介质，在声学、电子学、以及磁学等不同体系中都发现到了类似的波束横向移动。自旋波是磁性材料中的一种重要激发，研究发现自旋波束的古斯-汉欣位移密切依赖于界面的磁学和几何性质。因此，对古斯-汉欣位移的精确测量可以作为研究磁性界面特性的一种有效手段。最近的研究发现异手性界面(heterochiral interfaces)可以有效地控制磁畴壁、斯格明子和自旋波。然而，对于自旋波在异手性界面处的传播，特别是在Dzyaloshinskii-Moriya interaction (DMI)界面处自旋波的古斯-汉欣效应，还缺乏深入的研究。

本文从理论上研究了自旋波束在DMI界面处的古斯-汉欣效应。我们推导了交换自旋波(exchange spin-wave)古斯-汉欣位移的解析表达式，并讨论了该位移随入射角和材料磁性参数的变化。我们发现，只有当自旋波束发生全反射时古斯-汉欣位移才会产生。微磁模拟证实了我们的理论结果。进一步地，我们分析了在DMI纳米带界面处自旋波束的古斯-汉欣效应。计算表明，当DMI纳米带宽度大于10纳米时，古斯-汉欣位移与纳米带宽度无关；而当纳米带宽度小于10纳米时，由于界面磁矩的倾斜导致古斯-汉欣位移对纳米带宽度的强烈依赖。与我们之前提出的three-­magnon非线性测量手段[Wang et al., Phys. Rev. Applied 10, 054018 (2018)]比较，古斯-汉欣效应能应用于更窄的磁性纳米带(亚50纳米)。我们的结果有助于理解手性磁体中的古斯-汉欣效应，并拓展磁性纳米带中DMI强度的测量方法。界面的缺陷和不同形状也会影响自旋波的古斯-汉欣位移大小，我们将另文阐述。

该工作得到了国家自然科学基金，国家重点研发计划，以及中国博士后科学基金的资助。

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         PhysRevB.100.064421